고대역폭메모리를 20단 이상으로 수직 적층하려는 반도체 업계의 시도에서 가장 큰 장애물은 가속되는 발열이다.
SK하이닉스는 미 스탠퍼드대에서 열린 핫 칩스 2026 콘퍼런스를 통해 고단 적층 한계를 뛰어넘을 혁신 방안을 공식 공개했다.
데이터 통로 확장으로 두 세대마다 2.2배씩 늘어나는 열 부담을 잡기 위한 차세대 패키징 구상이 주주들의 주목을 받는다.
첫 번째 해법으로 제시된 하이브리드 본딩은 칩 사이의 금속 범프를 제거하고 구리와 구리를 분자 단위로 맞붙이는 기술이다.
이 방식을 도입하면 TSV 간격을 18마이크로미터 미만으로 축소하면서도 칩 두께 마진을 24% 넓혀 열 저항을 35% 줄인다.
여기에 신호 통로 주변 핫스폿에 방열 물질을 심는 I-HBM 기술까지 더해 열 저항을 30% 이상 추가로 낮추는 전략이다.
SK하이닉스는 이번 기술 발표회에서 대만 TSMC의 CoWoS 기술뿐 아니라 미국 인텔의 EMIB 패키징을 나란히 언급했다.
메모리가 가속기와 처음부터 결합되는 2.5D 패키징 시장에서 공정 물리적 응력을 분산하고 조달처를 다변화하려는 포석이다.
업계에서는 인텔과의 패키징 연구 협업 가능성이 실제 양산 생태계 확장으로 이어질지 여부에 높은 관심을 보이고 있다.
적층 숫자로 단순 비교하던 HBM 시장의 주도권 경쟁은 차세대 구조 설계와 발열 관리 역량 싸움으로 전개되고 있다.
다만 발표된 하이브리드 본딩과 I-HBM은 차세대 HBM5 적용을 목표로 추진되는 연구개발 단계라는 점을 고려해야 한다.
실제 제품 양산 일정과 양사 협력의 구체적인 계약 체결 시점이 확인되기 전까지는 단기적인 실적 환상을 경계할 필요가 있다.
SK하이닉스의 기술 발표는 고단 HBM 시장의 핵심 경쟁 요소가 단순 적층 수에서 구조적 열 제어로 변했음을 입증한다.
투자자들은 HBM5 양산 적용 시점과 인텔 EMIB를 비롯한 차세대 패키징 생태계의 실제 수주 성과를 차분히 파악해야 한다.
기술 개발 성과가 실제 차세대 공급 계약 및 상용화로 연결되는 과정을 확인하는 것이 장기 주가 방향성을 가름할 기준이다.
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