L-SAM 다기능레이더 송신부의 핵심 RF 반도체 국산화 개발이 본격화됐다.
레이더는 전파를 얼마나 세게, 얼마나 효율적으로 쏘느냐에서 성능이 갈린다. 그 역할을 맡는 부품이 무선주파수(RF) 질화갈륨(GaN) 반도체다. 지금까지 L-SAM의 이 부품은 해외에 의존해 왔다. 15일 웨이비스가 국산화 개발에 나선다는 소식이 전해지며 주가도 크게 움직였다.
“S대역 고출력”…개발 대상은 무엇인가
웨이비스는 L-SAM 다기능레이더(MFR) 송신부의 고출력증폭보드에 적용되는 S대역 고출력 RF GaN 고전자이동도트랜지스터(HEMT) 칩을 개발한다고 밝혔다. RF GaN 반도체는 레이더 송신부에서 높은 출력과 효율, 고전압 동작 특성을 구현하는 핵심 부품이다. 레이더의 탐지 거리와 동시 추적 능력이 여기서 결정된다.
“7월 협약, 8월 착수회의”…진행 상황
회사는 지난 7월 23일 일반부품 국산화 개발협약을 체결했고, 8월 21일에는 국방기술진흥연구소 관계자들과 착수회의를 열어 개발 범위와 단계별 시험·검증 계획을 구체화했다. 개발된 제품은 장기간 운용되는 무기체계의 유지·보수와 후속 군수지원에도 활용될 예정이다.
“수출 통제가 변수다”…조달 불확실성
이번 사업의 목표는 단순한 원가 절감이 아니다. 해외 공급망 변화와 수출 통제 등에 따른 조달 불확실성을 낮추는 것이 핵심이다. 무기체계는 한번 배치되면 수십 년을 운용한다. 그 기간 내내 핵심 부품을 외부에서 받아야 한다면 전력 유지 자체가 외부 변수에 묶인다.
무기체계 국산화율 이야기는 흔히 완성품 단위로 거론된다. 그러나 실제 병목은 이런 부품 단계에 있다. L-SAM이 해외 시장을 노리는 지금, 심장부의 국산화 여부는 더 무거운 의미를 갖는다. (사진 출처=연합뉴스)
댓글0